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全球GaN技术领导者英诺赛科(Innoscience) 正式推出划时代产品 ISG6234AQH SolidGaN™。这款全集成700V半桥GaN芯片创新性融合双210mΩ E-Mode GaN FET、智能门极钳位驱动及DESAT短路保护,采用紧凑型QFNGX8 6x8mm封装。凭借8-20V宽门极输入、可调开关斜率及零反向恢复电荷三大核心技术,ISG6234AQH为工业电机驱动、高效充电器、LED电源等中功率应用提供极致性价比解决方案。
传统方案 | ISG6234AQH方案 | 用户收益 |
---|---|---|
2颗分立GaN FET | 单芯片集成双210mΩ GaN | 减少60%占板面积 |
外置驱动IC+保护电路 | 内置门极钳位驱动+DESAT保护 | 降低系统成本35% |
复杂寄生参数管理 | 优化内部布线设计 | EMI降低15dB |
安全防护
集成DESAT短路保护:响应速度<100ns,短路故障处理速度提升5倍
750V脉冲耐压:工业浪涌环境下可靠性提升50%
智能控制
8-20V宽门极输入:兼容TI/ST/Infineon主流控制器
可调开关斜率:通过单电阻实现EMI与效率平衡优化
能效革新
零反向恢复电荷(Qrr=0):高频工况下效率提升3-5%
超低热阻封装:Exposed Pads设计使热阻降低40%
参数 | 传统IGBT方案 | 分立GaN方案 | ISG6234AQH方案 |
---|---|---|---|
系统成本 | $3.2 | $4.8 | $2.9 |
PCB面积(mm²) | 1200 | 800 | 480 |
峰值效率 | 92% | 96% | 97.5% |
短路响应时间 | 2μs | 500ns | <100ns |
开发周期 | 12周 | 16周 | 6周 |
ISG6234AQH的推出标志着中功率GaN应用进入普惠时代。这款芯片以210mΩ导通电阻精准定位50W-500W市场,通过全集成设计解决中小功率场景的成本痛点。无论是智能工厂的伺服驱动,还是高端家电的节能电机,ISG6234AQH都能提供超越硅基方案的性能体验。
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